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【技術文章】沉積態合金組織的形貌及選區電子衍射圖 2014-05-31

圖5一13(a)是沉積態合金組織的形貌及選區電子衍射圖。這時，合金的形貌沒有任何特征，相應的衍射圖為一暈環。這表明薄膜的結構為非晶態的，其結構有序的范圍不超過幾個原子間距。但這還不能確定薄膜的結構是完全意義上的非晶態還是所謂的微晶結構.

【技術文章】非晶態薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式 2014-05-29

非晶態薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式。如Si、SiO2等材料在較低的溫度下，都可以形成非晶的柱狀結構。對Ge、Si等薄膜材料進行深入研究時，發現這類材料的柱狀形貌的發育可以被劃分為納米級的、顯微的，以及宏觀的三種柱狀組織。非晶態Ge薄膜中30%A...

【技術文章】材料形成非晶態的能力主要取決于其化學成分 2014-05-21

除了制備條件之外，材料形成非晶態的能力主要取決于其化學成分。一般來說金屬元素不容易形成非晶態結構。這是因為金屬原子間的鍵合不存在方向性，因而要抑制金屬原子間形成有序排列，需要的過冷度較大。合金或化合物形成非晶態結構的傾向明顯高于單一組元，因為化合物的結構一般...

【技術文章】非晶薄膜的生長特性 2014-05-16

非晶態是一種近程有序結構。就是在2個一3個原子距離內原子排列是有秩序的，大于這個距離其排列是雜亂無規則的。例如，非晶硅的每個原子仍為四價共價鍵，并且與最近鄰原子構成四面體，仍是有規律的。非晶態的另一個特點是，其自由能比同種材料晶態的自由能高，即處于一種亞穩態...

【技術文章】外延薄膜的生長 2014-05-14

外延生長的基本參數之一是基片溫度，對于基片與薄膜材料之間，都有一個臨界外延溫度，高于此溫度的外延生長是良好的，而低于此溫度的外延生長則是不完善的。此外，生長速率R與基片溫度T有關。 如吸附原子在與另一個原子碰撞結合之前能進人穩定的平衡位置，...

【技術文章】濺射薄膜成膜過程 2014-05-12

從蒸發源或濺射靶中出來的沉積粒子到達基片表面之后，經過吸附、凝結、表面擴散、遷移、碰撞結合形成穩定晶核。然后再通過吸附使晶核長大成小島，島長大后互相聯結聚集，*形成連續薄膜。在這樣的成膜過程中，蒸發法和濺射法的主要區別是: 對于真空蒸發法，其入...

【技術文章】濺射薄膜的生長 2014-05-09

用濺射法制備薄膜時，到達基片的濺射粒子的能量比蒸發法的要大得多，因此會給薄膜的形成帶來一系列的影響，除了使膜與基片的附著力增加外，還會由于高能離子轟擊薄膜表面使其溫度上升而改變薄膜的結構，或使薄膜內部應力增加等。濺射粒子的能量與濺射電壓、基片與靶的距離、真空...

【技術文章】薄膜開關達到哪些標準 2014-05-08

使用壽命長達200萬。 安全開關防塵防水，抗震性強，使用壽命長，適用于標準機械工程及衛生要求嚴格的領域。 所有產品系列的安全開關均滿足歐洲和美國安全標準。 外形尺寸及接線方式多樣化

【技術文章】連續膜階段 2014-05-06

在溝渠和孔洞消除之后，再入射到基片表面上的氣相原子便直接吸附在薄膜上、通過合并作用而形成不同結構的薄膜。有些薄膜在島的合并階段，小島的取向就發生顯著變化。對于外延薄膜的形成，其小島的取向相當重要。在形成多晶薄膜時，除了在外延膜中小島合并時必須有相互一定的取向...

【技術文章】薄膜的網絡階段 2014-05-04

在小島合并為新島的生長過程中，它的形狀變為圓形的傾向減小，只是在新島進一步合并的地方才繼續發生較大的變形，當島的分布達到臨界狀態時互相聚結形成一種網狀結構。在這種結構中不規則的分布著寬度為50A-200A的溝渠，隨著沉積的繼續進行，在溝渠中會發生二次或三次成...